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泰克示波器在功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)/雙脈沖測(cè)試的應(yīng)用
一、測(cè)試需求:功率器件如場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)和絕緣雙極晶體管[IGBT) ,這些功率器件提供了快速開關(guān)速度,能夠耐受沒有規(guī)律的電壓峰值,被廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的設(shè)計(jì)。尤其最新第三代半導(dǎo)體Si...發(fā)布時(shí)間:2022-08-09
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功率放大器在壓電振動(dòng)能量收集器建模中的應(yīng)用
實(shí)驗(yàn)名稱:垂向動(dòng)磁式壓電振動(dòng)能量收集器建模及實(shí)驗(yàn)研究研究方向:為了改善單懸臂梁壓電能量收集器的性能實(shí)驗(yàn)內(nèi)容:為了改善單懸臂梁壓電能量收集器的性能,設(shè)計(jì)了一種垂向動(dòng)磁式壓電振動(dòng)能量收集結(jié)構(gòu)。針對(duì)該結(jié)構(gòu)建...發(fā)布時(shí)間:2022-08-09
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泰克示波器在LED驅(qū)動(dòng)電源測(cè)試的應(yīng)用
系統(tǒng)背景:LED作為當(dāng)前最為節(jié)能的照明產(chǎn)品,經(jīng)歷了前幾年高速增長(zhǎng),大量企業(yè)投入的繁榮,近幾年隨著廠商的激烈競(jìng)爭(zhēng),產(chǎn)品價(jià)格下降,市場(chǎng)技術(shù)要求的變高,逐漸步入行業(yè)正常的發(fā)展軌道。傳統(tǒng)照明市場(chǎng)增速趨緩是現(xiàn)狀...發(fā)布時(shí)間:2022-08-09
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吉時(shí)利源表在電子薄膜材料的應(yīng)用方案
概述:某一維線性尺度遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于它的其他二維尺度的材料成為薄膜材料,理論上薄膜材料厚度介于單原子到幾毫米,但由于厚度小于100nm的薄膜已經(jīng)被稱為二維材料,因此薄膜材料通常指厚度介于微米到毫米的薄金屬或有...發(fā)布時(shí)間:2022-08-09
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泰克電源諧波測(cè)試方案
【測(cè)試要求】隨著用電設(shè)備的多樣化和復(fù)雜化,線路中諧波的成分也變得越來(lái)越豐富,諧波污染的治理問題也變得越來(lái)越棘手,最常用的諧波分析方法是使用傅里葉變換,將的離散信號(hào)進(jìn)行傅里葉級(jí)數(shù)展開,得到離散的,從離散...發(fā)布時(shí)間:2022-08-09
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泰克功率器件IGBT測(cè)試方案簡(jiǎn)介
IGBT簡(jiǎn)介:IGBT(絕緣柵雙極性晶體管)是常見的功率,期間經(jīng)常使用在強(qiáng)電流高電壓的場(chǎng)景中,如電動(dòng)汽車、變電站等。器件結(jié)構(gòu)由MOSFET及BGT組合而成,兼具了高輸入阻抗及低導(dǎo)通壓降的優(yōu)點(diǎn),IGBT...發(fā)布時(shí)間:2022-08-09
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納米線/碳納米管及電子器件測(cè)試方案
納米線(Nano wire)為一種橫向上被限制在100納米以下(縱向沒有限制)的一維材料,根據(jù)組成材料的不同,納米線可分金屬納米線、半導(dǎo)體納米線和絕緣體納米線。作為納米材料的一種,納米線具備泰克應(yīng)用文...發(fā)布時(shí)間:2022-08-09
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泰克射頻通信創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)方案
方案背景:隨著 3G,4G,物聯(lián)網(wǎng)等現(xiàn)代通信技術(shù)的發(fā)展,越來(lái)越多的高校開設(shè)了通信工程,微電子,電子信息工程專業(yè),其中《通信原理》,《電磁場(chǎng)與微波技術(shù)》,《模擬電子線路》,《射頻集成電路》等課程為這些專...發(fā)布時(shí)間:2022-08-09
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普源示波器在通信原理實(shí)驗(yàn)中的應(yīng)用【院校實(shí)驗(yàn)課程方案】
測(cè)試需求:調(diào)制解調(diào)是非常重要的通信技術(shù),也是通信原理課程中必須掌握的知識(shí)點(diǎn),調(diào)制解調(diào)實(shí)驗(yàn)更是通信類實(shí)驗(yàn)中的必做實(shí)驗(yàn)。調(diào)制解調(diào)實(shí)驗(yàn)主要目的是讓學(xué)生理解調(diào)制解調(diào)的工作原理,通過(guò)使用測(cè)量?jī)x器(比如示波器)觀...發(fā)布時(shí)間:2022-08-09
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納米發(fā)電測(cè)試解決方案
【納米發(fā)電技術(shù)概述】 納米發(fā)電機(jī),是基于規(guī)則的氧化鋅納米線,在納米范圍內(nèi)將機(jī)械能轉(zhuǎn)化成電能,是世界上最小的發(fā)電機(jī)。目前納米發(fā)電機(jī)可以分為三類:第一類是壓電納米發(fā)電機(jī);第二類是摩擦納米發(fā)電機(jī);第三類為熱...發(fā)布時(shí)間:2022-08-09
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Agitek測(cè)試方案精選—新能源與電池篇
一、新能源與電池行業(yè)概述:電子測(cè)量?jī)x器領(lǐng)域?qū)Πl(fā)電效率、電能質(zhì)量、以及低功耗等方面有著成熟的測(cè)試方案,隨著高效率、穩(wěn)定、耗能低、高儲(chǔ)能每一步的推進(jìn),都反映了測(cè)試方法的改進(jìn)與能源行業(yè)的進(jìn)步。從風(fēng)能發(fā)電、太...發(fā)布時(shí)間:2022-08-09
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Agitek測(cè)試方案精選—物聯(lián)網(wǎng)與無(wú)線通信篇
面向未來(lái),隨著超高清、3D和浸入式視頻的流行,信息數(shù)據(jù)的速率將會(huì)大幅提升。同時(shí)人們還希望能夠在體育場(chǎng)、演唱會(huì)等超密集場(chǎng)所,高鐵、汽車、地鐵等高速移動(dòng)環(huán)境下也能夠獲得一致的業(yè)務(wù)體驗(yàn),這對(duì)物聯(lián)網(wǎng)的能耗、每...發(fā)布時(shí)間:2022-08-09
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半導(dǎo)體與芯片器件研究測(cè)試方案匯總【泰克篇】
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)概述中國(guó)大陸是2019年全球唯一半導(dǎo)體材料增長(zhǎng)市場(chǎng)。近年來(lái)全球半導(dǎo)體材料銷售額達(dá)到 519 億美元,大陸地區(qū)銷售額銷售額達(dá) 84億美元,其中國(guó)產(chǎn)材料占比僅為 20%,在全球硅晶圓制造產(chǎn)業(yè)向大...發(fā)布時(shí)間:2022-08-09
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泰克示波器--新能源充電樁維護(hù)測(cè)試實(shí)例分享
隨著新能源充電樁加速布局,截止2020年4月初,陜西已有11622臺(tái)充電樁,服務(wù)范圍覆蓋陜西省境內(nèi)各地市主城區(qū)、郊縣和高速公路。城市里的充電樁維護(hù)任務(wù)愈加緊張。泰克示波器是充電樁內(nèi)部的控制電路維護(hù)以及...發(fā)布時(shí)間:2022-08-09
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普源(Rigol)讓EMI預(yù)測(cè)試不再遙不可及
EMI預(yù)測(cè)試作為EMC(電磁兼容)測(cè)試的重要一項(xiàng),是測(cè)試電子產(chǎn)品在電磁方面的干擾大小的綜合評(píng)定,是產(chǎn)品質(zhì)量安全認(rèn)證的重要指標(biāo)之一。但是,很多產(chǎn)品在正式測(cè)試評(píng)定時(shí)都會(huì)遇到產(chǎn)品測(cè)試不合格的情況,這就導(dǎo)致生...發(fā)布時(shí)間:2022-08-09
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吉時(shí)利Keithley KickStart 軟件-讓測(cè)試更簡(jiǎn)單便捷
KickStart 軟件是吉時(shí)利Keithley是為吉時(shí)利keithley儀器專配的測(cè)試軟件,使用 KickStart 軟件能夠加速所需的測(cè)量方法,簡(jiǎn)化了儀器了解過(guò)程,只需幾分鐘即可將儀器從包裝箱中...發(fā)布時(shí)間:2022-08-09
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吉時(shí)利源表-皮納級(jí)電流壓力傳感器測(cè)試方案
壓力傳感器(Pressure Transducer)是能感受壓力信號(hào),并能按照一定的規(guī)律將壓力信號(hào)轉(zhuǎn)換成可用的輸出的電信號(hào)的器件或裝置。其廣泛應(yīng)用于各種工業(yè)自控環(huán)境,涉及水利水電、鐵路交通、智能建筑...發(fā)布時(shí)間:2022-08-09
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安泰高壓放大器在生命科學(xué)中的應(yīng)用
本文描述的是高壓放大器在生命科學(xué)中的應(yīng)用-解決細(xì)胞過(guò)濾時(shí)堵塞問題:實(shí)驗(yàn)名稱:利用介電電泳解決細(xì)胞過(guò)濾時(shí)的堵塞問題研究方向:用負(fù)向介電電泳力控制細(xì)胞向液體流向的反方向運(yùn)動(dòng)實(shí)驗(yàn)內(nèi)容:(1)細(xì)胞正負(fù)介電電泳...發(fā)布時(shí)間:2022-08-09
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吉時(shí)利半導(dǎo)體器件C-V特性測(cè)試方案
交流C-V測(cè)試可以揭示材料的氧化層厚度,晶圓工藝的界面陷阱密度,摻雜濃度,摻雜分布以及載流子壽命等,通常使用交流C-V測(cè)試方式來(lái)評(píng)估新工藝,材料,器件以及電路的質(zhì)量和可靠性等。比如在MOS結(jié)構(gòu)中, C...發(fā)布時(shí)間:2022-08-09
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吉時(shí)利半導(dǎo)體分立器件I-V特性測(cè)試方案
半導(dǎo)體分立器件是組成集成電路的基礎(chǔ),包含大量的雙端口或三端口器件,如二極管,晶體管,場(chǎng)效應(yīng)管等。直流I-V測(cè)試則是表征微電子器件、工藝及材料特性的基石。通常使用I-V特性分析,或I-V曲線,來(lái)決定器件...發(fā)布時(shí)間:2022-08-09
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