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同惠TH510在功率器件CV特性解決方案

發布日期:2024-05-31     作者: 安泰測試     瀏覽數:   

  隨著科技的發展,現有半導體材料已經經過了三個發展階段,第三代半導體展現出了高壓、高頻、高速、低阻的優點,其擊穿電壓,在在某些應用中可高到1200-1700V。這些特點帶來如下新特性:

  極低的內部電阻,與同類硅器件相比,效率可提高70%

  低電阻可改善熱性能(最高工作溫度增加了)和散熱,并可獲得更高的功率密度

  散熱得到優化,與硅器件相比,就可采用更簡單的封裝、尺寸和重量也大大減少

  極短的關斷時間(GaN器件接近于零),能工作于很高的開關頻率,工作溫度也更低

  這些特性,在功率器件尤其是MOSFET以及IGBT上面的應用最為廣泛。

同惠TH510在功率器件CV特性解決方案(圖1)

  因此,在第三代半導體高速發展的同時,測量技術也面臨全面升級,特別是高電壓、大電流、高頻率測試,以及電容特性(CV)特性。

  現今,市場上功率器件CV特性測試儀器,普遍存在下列痛點:

  1.進口設備

  進口設備功能全、一體化集成度高、測試準確,但是有如下缺點:

  a)價格昂貴,動則幾十萬甚至上百萬的價格,一般企業很難承受。

  b)操作繁瑣,集成了太多功能加上大多英文化的操作界面,對于用戶操作并不友好。

  c)測試效率低,一臺設備可能完成動態特性、靜態特性的全部測試,但是接線負責、操作難度大,測試結果用時較長,測試效率無法保障。

  2.國產設備

  在進口設備無法滿足用戶測試需求的情況下,國產設備應運而生,以相對功能單一、操作方便、價格低廉快速占領了一部分市場,但是,這些設備同樣也有如下缺點:

  a)體積龐大,大多數國產設備,由于沒有專業的電容測試經驗,通常是用幾臺電源、一臺LCR、工控機或者PLC、機箱、測試工裝等組合而成,因此體積過大,無法適用于自動化產線快速生產。

  b)漏源電壓VDS過低,大多最高只能達到1200V左右,已無法滿足第三代半導體功率器件測試需求。

  c)測量精度低,由于缺乏專業電容測量經驗,加上過多的轉接,導致電容特別是pF級別的小電容無法達到合適的測量精度。

  d)測試效率低,同樣由于組合儀器過多,加上需用工控機或PLC控制過多儀器,導致測試單個器件時間過長。

  e)擴展性差,由于設備過多,各種儀器不同的編程協議,很難開放第三方接入以集成至客戶產線自動化測試整體方案中。

  針對這些痛點同惠推出了針對半導體功率器件CV特性的解決方案。

同惠TH510在功率器件CV特性解決方案(圖2)

  TH510系列半導體半導體C-V特性分析儀,TH510系列半導體半導體C-V特性分析儀,標配2通道,可擴展至6通道,適合多個單管器件或模組器件測試,提供RS232C、USB、LAN接口,SCPI協議,支持HANDLER接口交互,可方便集成與自動化產線或功率電子測試系統,如果您有更多疑問或需求可以關注西安安泰測試**哦!非常榮幸為您排憂解難。


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