PVX-2506 設計有雙向 MOSFET 輸出級，使用 DEI 的 DE 系列快速功率 MOSFET。此設計提供快速上升和下降時間，并具有最小的過沖、下沖和振鈴，以及快速穩(wěn)定時間。受控電壓波形允許被測設備 (DUT) 在幾百納秒內穩(wěn)定在電壓上，從而允許在設備加熱開始之前進行 IV 測量。靜態(tài)（偏置）電壓可以施加到脈沖發(fā)生器，允許 DUT 保持在非零電壓，然后脈沖高于或低于該電壓。

脈沖發(fā)生器采用直接耦合、風冷、固態(tài)設計，提供同樣快的脈沖上升和下降時間、低功耗以及最小的過沖、下沖或振鈴。它具有過流檢測和關斷電路，可保護脈沖發(fā)生器免受負載或互連電纜中的電弧和短路造成的潛在損壞。

特征

• 專為半導體器件的精確脈沖設計，用于脈沖 IV 表征

• 輸出電壓至 +50V

• 輸出電流至 10A

• 50% 最大占空比

• 脈沖寬度從 <1uS 到 100uS

• 用于數(shù)據采集的儀器級模擬電壓和電流監(jiān)視器

應用

專為半導體器件的精確脈沖設計，用于脈沖 IV 表征